其中r代表可分辨的最小尺寸也就是我们追求的精度，那么肯定就是r越小越好，k是工艺常数代表我们的工艺技术,λ.....λ...。
λ是什么来着？”
说到这里，李秀成像是卡了壳，挠着腮帮子说道。
周宏一脸好为人师的表情笑道：“λ是光刻机所用光源的波长，我们现在研究的就是g线光刻机，波长346nm。
na代表物镜数值孔径这个东西也就是关键的暴光系统。
这也是最难的东西，我们现在造的都是落后别人十年的参数产品。
反正，光刻机制程工艺水平的发展是一直遵循你说这个公式的。
现在米国的最新型光刻机已经可以生产800nm制程的芯片，我们却还在1200nm徘徊，还差得远啰！”
说到最后，周宏反而一脸失落，也没了开始的兴致。
“哦，真复杂！”李秀成做出一脸我很懵的表情，然后话锋一转道：“但我大致抓到了两个重点，光源、物镜折射率！
想要提升芯片的生产效率和良率，是必须要同时发展光刻机的内部构造和工作模式。
那么我们可以从整体因素考虑，为什么不换一种光源，然后再换一种折射介质？”
“嗯？”周宏回过神来，有些奇怪的说道：“现在光线就g线和i线两种，波长在三百多到四百左右，确实比较大，而且国际上的公同认知是在193nm缩短到157nm制程时会出现瓶颈。
但折射介质是什么说法？”
见周宏来了兴趣，李秀成嘴角微勾然后迅速恢复原状。
这也就是现在的干式微影光刻机和浸没式光刻机的最大区别了！
他故意做出一脸不确定的说道：“光线我觉得可以多做试验，把什么xyz射线啊，紫外线，极光都试试，总能找到最合适的。